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GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。
更新時間：2025-01-20
產品型號：THZ-GASE-5-5-1
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