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Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm

產(chǎn)品簡介

Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm

產(chǎn)品型號:
更新時間:2024-12-07
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1105
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品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材/家具,電子/電池
總覽

Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點

Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm,Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點

噪聲低

高增益

內(nèi)置高壓電源

APD溫度補償

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測距

光譜測量

ns 級光脈沖探測


產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

單位

探測器類型

Si


波長

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

響應(yīng)度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Ω

飽和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/√(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20



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